次世代メモリの最有力候補、「相変化メモリ」の量産が始まる

自動ニュース作成G次世代メモリの最有力候補、「相変化メモリ」の量産が始まるhttp://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20091014_321297.html2009-10-18 14:58:03DRAMとNANDフラッシュメモリの次に、大きな市場を創り出しそうなメモリが次世代メモリだ。次世代メモリの候補とされている半導体メモリは4種類。「強誘電体メモリ(FeRAM)」、「磁気メモリ(MRAM)」、「相変化メモリ(PRAMあるいはPCM)」、「抵抗変化メモリ」だ。いずれも不揮発性メモリであり、それぞれ特有の技術で記憶素子(データを保存する素子)を構成する。これらの候補者の中で、最も有力な候補とされているのが「相変化メモリ」である。・DRAMを超えるスピードでかつ無電でデータ保持とかもそのうち出てくるんだろうな。・FeRAM使ってレジスタを不揮発性にする「不揮発性ロジック」ってのもあるな・途中まで次世代DRAMのつもりで読んでたけど、次世代フラッシュメモリの話だった。・韓国がまた世界シェアを握っちまうのか？　日本はなにやってんだ……・原理を読むとwriteがむちゃくちゃ遅そうに思えたがhttp://www.numonyx.com/jp/MemoryProducts/PCM/Pages/AAC.aspx を見るとNANDより速いんだな。鵜呑みにすると目立った欠点は無い。スケーリングで他より有利ってところがこれから先効いてきそうってところで期待が高いのか。・日本ががんばっても、韓国は価格でダンピングして市場荒らすからね・関税かけれないもんなの？・#5 グラフが分かりにくすぎて笑った。